【iphone6s 内存】专题不曾注意的小细节：iPhone 6s存储性能为何大幅提升？

外媒AnandTech特别针对iphone 6s plus、三星galaxy S7/S6/S6 Edge S5、小米note Pro、华为P8/Mate 8/荣耀5X、LG G4、Google NEX 5X

令人惊讶的是，在内部闪存顺序读写测试中，iPhone 6s Plus均远远高于其它Android竞争对手。

持续写入测试中，排名前三的分别为iPhone 6s Plus（163.20 MB/s）、三星Galaxy S7（64.49 MB/s）、以及Galaxy S6 / S6 edge（并列40.69 MB/s）。

在顺序读取测试中，排名前三的也是这几个，其中iPhone 6s Plus的成绩为402.35 MB/s、三星Galaxy S7为 233.27MB/s、Galaxy S6 / S6 edge并列 208.69MB/s。

iPhone 6s之所以这么快（相较于iPhone 6），是因为苹果改变了内存的处理方式。根据AnandTech的详细所述，苹果选用了在MacBook SSD上创下惊人速度的主控，在将之改造后塞进了智能机中。

此外，报道还提到iPhone 6s采用了定制NAND闪存和NVMe协议，而不是UFS或传统的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款机型，也都使用了相同的存储类型。

在测试中，苹果的存储解决方案，轻松击败了搭载UFS 2.0闪存的Galaxy S6系列，即使后者已经算是相当快了。

【补充】2月份的时候，三星宣布其UFS 2.0技术变得更快、容量也提升到了256GB —— 顺序读取可达850MB/s、持续写入也有260MB/s。

遗憾的是，在AnandTech的测试中，该公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都没能打破iPhone 6s创下的记录。

[编译自：BGR, 来源：Business Korea]